深圳市2026年第一批战略性新兴产业专项资金项目（半导体与集成电路领域）

本次专项资金扶持涵盖集成电路设计流片、产业化、产业链尖端资源集聚、创新能力建设、国家项目配套五类扶持计划。其中，集成电路设计流片扶持计划包括集成电路流片、国产EDA工具推广应用两大方向；产业化扶持计划聚焦高端芯片产品突破（IP购置和车规级认证）、核心设备及配套零部件突破、关键制造封装材料突破、高端封装测试水平提升等重点领域；产业链尖端资源集聚扶持计划聚焦半导体与集成电路关键环节“卡脖子”技术或前沿变革性颠覆性技术攻关，以及重大项目布局；创新能力建设扶持计划重点支持建设半导体与集成电路领域产业创新中心、IC设计流片平台、检测认证中心、中试验证平台等产业支撑平台；国家项目配套扶持计划，对承担国家发展改革委集成电路领域重大项目、重大技术攻关计划及重点研发计划的单位给予配套支持。
一、集成电路设计流片扶持计划
（一）集成电路设计流片
1.政策依据
《深圳市关于促进半导体与集成电路产业高质量发展的若干措施》（深发改规〔2025〕9号）第二条。
2.扶持方向
支持多项目晶圆（MPW）流片、全掩模工程产品流片。
3.扶持方式及资助金额
对于申报该类项目的，项目在提交申报材料前须已完成项目建设；项目通过专家评审后，市发展改革委予以批复立项；该类项目采取事后一次性资助方式。
（1）对于参与晶圆制造厂多项目晶圆（MPW）流片的企业、高校和科研院所，通过专家评审后，按照流片直接费用的30%给予资助，同一单位年度总资助额不超过300万元。
（2）对于首次完成全掩模工程产品流片（包括自组多项目晶圆流片）的企业、高校和科研院所，且工艺制程在28纳米及以下的，通过专家评审后，按照流片直接费用的30%给予资助，同一单位年度总资助额不超过1000万元。
4.申报要求
（1）须满足申报通知明确的申报基本条件，详见申报通知。
（2）项目单位应拥有专业化的技术及管理团队，财务制度健全，具有较高水平的研发成果和技术储备，经营管理状况良好。流片产品应由申报单位自主研发设计且须回片测试。
（3）全掩模工程产品流片费用包含掩模费用和晶圆费用，且项目单位首次申请该掩模资助，晶圆应为同一批次。
（4）实际支出费用计算时间为2025年7月1日以后，以发票日期为准。发票以美元计价的则实际支出费用按发票当天汇率进行换算。
5.申报材料
（1）资金申请报告内容包含：项目名称、项目单位概况、研发过程（含主要时间节点）、项目总投资、流片方式（多项目晶圆、全掩模）、流片工艺信息、芯片尺寸（Die size）、主要测试结果。
（2）附件清单：
①企业营业执照。
②多项目晶圆（MPW）流片、全掩模工程产品流片相关费用支出明细、与相关企业签订的合同、财务凭证、发票、芯片测试报告等。
③芯片版图彩印缩略图、产品外观照片；流片方式及流片工艺信息证明材料。
④项目申报与建设管理承诺函和财政支持发展专项资金使用（资助）廉洁承诺书（附件1-4-2）。
注：同时申报多款芯片流片补贴的，须分别提交相应的资金申报材料。
（二）国产EDA工具推广应用
1.政策依据
《深圳市关于促进半导体与集成电路产业高质量发展的若干措施》（深发改规〔2025〕9号）第三条。
2.扶持方向
支持模拟、数字、制造、封测等集成电路EDA工具软件国产化。
3.扶持方式及资助金额
对于申报该类项目的，在提交申报材料前须已完成项目建设；项目通过专家评审后，市发展改革委予以批复立项；该类项目采取事后一次性资助方式，对于同时申报两项及以上不同制程EDA工具资助的企业，年度资助金额上限可累加。
（1）对购买国内企业研发的EDA工具并开展28纳米及以下芯片研发制造的企业，通过专家评审后，按照购买该EDA工具实际发生费用的20%给予一次性资助，单个企业年度资助金额不超过200万元。
（2）对购买国内企业研发的EDA工具并开展14纳米及以下芯片研发制造的企业，通过专家评审后，按照购买该EDA工具实际发生费用的30%给予一次性资助，单个企业年度资助金额不超过300万元。
（3）对购买国内企业研发的EDA工具并开展7纳米及以下芯片研发制造的企业，通过专家评审后，按照购买该EDA工具实际发生费用的50%给予一次性资助，单个企业年度资助金额不超过500万元。
4.申报要求
（1）须满足申报通知明确的申报基本条件，详见申报通知。
（2）项目单位应拥有专业化的技术及管理团队，财务制度健全，具有较高水平的研发成果和技术储备，经营管理状况良好。
（3）所购EDA工具应当用于有关芯片设计或制造，投片时所购EDA应处于有效许可期内，EDA工具购置时间在2025年1月1日以后，投片时间在2025年7月1日以后，以晶圆厂成功投片证明材料为准。
（4）同时申报多项EDA工具采购补贴的，须分别完成相应的芯片设计投片，并分别提交相应的资金申报材料，同一EDA工具不得重复申请。
5.申报材料
（1）资金申请报告
内容包含：项目名称，项目单位概况，项目所涉及的所有EDA工具列表、许可数量、有效期，项目完成研发投片的芯片信息（流片工艺信息、芯片尺寸（Die size）等），研发过程（含主要时间节点）、项目总投资等。
（2）附件清单：
①企业营业执照。
②晶圆厂成功投片证明材料、项目所涉及芯片使用国内企业研发的EDA工具的证明材料、EDA工具购置明细、采购合同、财务凭证、发票（或Invoice）等。
③芯片版图彩印缩略图，流片方式及流片工艺信息证明材料。
④项目申报与建设管理承诺函和财政支持发展专项资金使用（资助）廉洁承诺书（附件1-4-2）。
二、产业化扶持计划
（一）高端芯片产品突破（IP购置）
1.政策依据
《深圳市关于促进半导体与集成电路产业高质量发展的若干措施》（深发改规〔2025〕9号）第一条。
2.扶持方向
（1）面向AI大模型场景需求，支持突破数据中心CPU、GPU、DSP、FPGA、ASIC等专用芯片，400G以上带宽DPU、100G以上激光器芯片、新型光电融合芯片等互联芯片，以及高性能高能效存储芯片。
（2）面向AI手机、AI眼镜、智能机器人等各类AI终端需求，研发高性能、高能效专用SoC主控芯片，支持存算一体、存内计算等新型架构处理器。
（3）面向新能源汽车万亿级市场，支持14纳米及以下车规级高阶智驾AI芯片、智能座舱SoC芯片、域控制器MCU、中央域控SoC/MPU芯片的国产替代。
3.扶持方式及资助金额
对于申报该类项目的，项目在提交申报材料前须已完成项目建设；项目通过专家评审后，市发展改革委予以批复立项；该类项目采取事后一次性资助方式。
（1）对购买IP开展28纳米及以下制程高端芯片研发的企业，通过专家评审后，按照IP购买实际支付费用的20%给予资助，单一企业年度资助金额不超过300万元。
（2）对购买IP开展14纳米及以下制程高端芯片研发的企业，通过专家评审后，按照IP购买实际支付费用的30%给予资助，单一企业年度资助金额不超过500万元。
4.申报要求
（1）须满足申报通知明确的申报基本条件，详见申报通知。
（2）项目单位应拥有专业化的技术及管理团队，财务制度健全，具有较高水平的研发成果和技术储备，经营管理状况良好。流片产品应由申报单位自主研发设计且须回片测试。
（3）实际支出费用计算时间为2025年7月1日以后，以发票日期为准。发票以美元计价的则实际支出费用按发票当天汇率进行换算。
（4）同时申报多项IP购置补贴的，须分别完成相应的芯片流片，并分别提交相应的资金申报材料，同一IP不得重复申请。
5.申报材料
（1）资金申请报告
内容包含：项目名称、项目单位概况、研发过程（含主要时间节点）、项目总投资、项目使用的IP列表、基于上述IP完成投片的芯片信息（流片方式、流片工艺信息、芯片尺寸（Die size）等）、主要测试结果等。
（2）附件清单：
①企业营业执照。
②需提供基于项目IP研发的芯片产品的详细设计报告，说明IP在该芯片中的应用价值、应用方式及该芯片产品的技术先进性；IP购置明细、采购合同、财务凭证、发票（或Invoice）、芯片测试报告等相关材料。
③芯片版图彩印缩略图、产品外观照片；流片方式及流片工艺信息证明材料。
④项目申报与建设管理承诺函和财政支持发展专项资金使用（资助）廉洁承诺书（附件1-4-2）。
注：同时申报多项IP购置补贴的，须分别提交相应的资金申报材料。
（二）高端芯片产品突破（车规级认证）
1.政策依据
《深圳市关于促进半导体与集成电路产业高质量发展的若干措施》（深发改规〔2025〕9号）第一条。
2.扶持方向
面向新能源汽车万亿级市场，支持车规级高阶智驾AI芯片、智能座舱SoC芯片、域控制器MCU、中央域控SoC/MPU芯片的国产替代。
3.扶持方式及资助金额
对于申报该类项目的，项目在提交申报材料前须已完成项目建设；项目通过专家评审后，市发展改革委予以批复立项；该类项目采取事后一次性资助方式。
支持企业开展AEC-Q系列可靠性标准认证、ISO 26262功能安全管理体系认证、AQG 324车规级半导体模块认证、ISO/TS 16949体系认证等车规级认证，对取得相关认证资质的企业，通过专家评审后，按照认证实际发生费用的50%给予资助，单一企业年度资助金额不超过100万元。
4.申报要求
（1）须满足申报通知明确的申报基本条件，详见申报通知。
（2）项目单位应拥有专业化的技术及管理团队，财务制度健全，具有较高水平的研发成果和技术储备，经营管理状况良好。
（3）实际支出费用计算时间为2025年7月1日以后，以发票日期为准。
5.申报材料
（1）资金申请报告
内容包含：项目名称、项目单位概况、认证过程（含主要时间节点）、项目总投资等。
（2）附件清单：
①企业营业执照。
②需提供公司/产品取得相关认证资质的证明材料；开展认证的合同、发票等相关材料。
注：同时申报多项车规级认证补贴的，须分别提交相应的资金申报报告及附件。
（三）核心设备及配套零部件突破
1.政策依据
《深圳市关于促进半导体与集成电路产业高质量发展的若干措施》（深发改规〔2025〕9号）第四条。
2.扶持方向
支持开展刻蚀、薄膜沉积、量测检测等核心设备及配套零部件技术研发。
3.扶持方式及资助金额
对于申报该类项目的，项目在提交申报材料前须已完成项目建设；项目通过专家评审后，市发展改革委予以批复立项；该类项目采取事后一次性资助方式。
（1）对于我市集成电路晶圆制造产线、中试线、实验线为国产设备提供验证服务的，通过专家评审后，按照验证服务费用的30%给予产线、中试线、实验线所属单位资助，最高不超过200万元。若集成电路产线、中试线、实验线为同一研制单位的同一型号设备提供多次验证服务的，仅对其首次验证服务给予资助。
（2）对于核心设备及零部件首次投入产线使用的设备研制单位，通过专家评审后，按经评审核定的产品研发投入（仅包括用于研发的设备、材料、人力资源投入）的30%给予研制单位资助，单一型号设备及零部件最高不超过1000万元，同一研制单位最高不超过3000万元。
4.申报要求
（1）须满足申报通知明确的申报基本条件，详见申报通知。
（2）项目单位应拥有专业化的技术及管理团队，财务制度健全，具有较高水平的研发成果和技术储备，经营管理状况良好。
（3）为国产设备提供验证服务的集成电路产线、中试线、实验线，验证服务费用的收取日期需在2025年7月1日及以后，具体以银行收款日期为准；核心设备及零部件首次投入产线使用的日期需在2025年7月1日及以后。
5.申报材料
（1）资金申请报告（附件1-1、1-2）。
注：同时申报多项设备及配套零部件研发补贴的，须分别提交相应的资金申报报告及附件。
（四）关键制造封装材料突破
1.政策依据
《深圳市关于促进半导体与集成电路产业高质量发展的若干措施》（深发改规〔2025〕9号）第五条。
2.扶持方向
支持开展14纳米及以下先进制程光刻胶、研磨液、掩膜版等制造材料，临时键合胶、聚酰亚胺、底部填充胶、封装基板等先进封装材料的技术研发。
3.扶持方式及资助金额
对于申报该类项目的，项目在提交申报材料前须已完成项目建设；项目通过专家评审后，市发展改革委予以批复立项；该类项目采取事后一次性资助方式。
对于我市集成电路晶圆制造产线、中试线、实验线为国产关键制造及封装材料提供验证服务的，按照验证服务费用的30%给予产线、中试线、实验线所属单位资助，最高不超过100万元。若集成电路产线、中试线、实验线为同一研制单位的同一型号材料提供多次验证服务的，仅对其首次验证服务给予资助。
4.申报要求
（1）须满足申报通知明确的申报基本条件，详见申报通知。
（2）项目单位应拥有专业化的技术及管理团队，财务制度健全，具有较高水平的研发成果和技术储备，经营管理状况良好。
（3）为国产关键制造及封装材料提供验证服务的，验证服务费用的收取日期需在2025年7月1日及以后，具体以银行收款日期为准。
5.申报材料
（1）资金申请报告（附件1-1、1-3）。
注：同时申报多项封装材料验证服务补贴的，须分别提交相应的资金申报报告及附件。
（五）高端封装测试水平提升
1.政策依据
《深圳市关于促进半导体与集成电路产业高质量发展的若干措施》（深发改规〔2025〕9号）第六条。
2.扶持方向
支持凸块（Bump）、倒装（Flip Chip）、晶圆级封装（WLP）、重布线（RDL）、芯粒（Chiplet）、硅通孔（TSV）、玻璃通孔（TGV）、2.5D封装、3D封装、混合键合、背面供电、扇出面板级封装（FOPLP）、光电共封装（CPO）等一系列先进封装技术及配套关键材料的研发和产业化。
3.扶持方式及资助金额
对于申报先进封装技术研发和产业化的项目，专家评审综合评分60分以上的进入现场核查阶段，通过专家评审、现场核查后，市发展改革委予以批复立项。项目单位须先自行投入资金组织实施项目，待项目通过验收后，按经审计核定的项目实际研发投入（仅包括用于研发的设备、材料、人力资源投入）的30%给予资助，单个项目不超过1000万元。该项目采取事后一次性资助方式。
4.申报要求
（1）须满足申报通知明确的申报基本条件，详见申报通知。
（2）项目单位应拥有专业化的技术及管理团队，财务制度健全，具有较高水平的研发成果和技术储备，经营管理状况良好。
5.申报材料
资金申请报告（附件1-1、1-4）。
三、产业链尖端资源集聚扶持计划
1.政策依据
《深圳市关于促进半导体与集成电路产业高质量发展的若干措施》（深发改规〔2025〕9号）第九条。
2.扶持方向
支持自主研发，突破关键环节“卡脖子”技术或前沿变革性颠覆性技术。
3.扶持方式及资助金额
专家评审综合评分60分以上的进入现场核查阶段，通过专家评审、现场核查的项目，市发展改革委予以批复立项。项目单位须先自行投入资金组织实施项目，待项目通过验收后：
（1）对突破关键环节“卡脖子”技术或前沿变革性颠覆性技术的集成电路领域攻关项目，按照项目研发投入（仅包括用于研发的设备、材料、人力资源投入）的30%给予资助，单个项目最高不超过3000万元。该项目采取事后一次性资助方式。
（2）对于集成电路制造、封测、装备、材料等领域自主研发取得突破、带动产业优势资源集聚的重大项目，按照项目固定资产投资给予项目单位一定比例的资助，单个项目最高不超过设定金额。该项目采取分阶段资助方式。
4.申报要求
（1）须满足申报通知明确的申报基本条件，详见申报通知。
（2）项目单位应拥有专业化的技术及管理团队，财务制度健全，具有较高水平的研发成果和技术储备，经营管理状况良好。
5.申报材料
资金申请报告（附件1-1、1-4）。
四、创新能力建设扶持计划
（一）政策依据
《深圳市关于促进半导体与集成电路产业高质量发展的若干措施》（深发改规〔2025〕9号）第八条。
（二）扶持方向
支持建设半导体与集成电路领域产业创新中心、IC设计流片平台、检测认证中心、中试验证平台等产业支撑平台。
（三）扶持方式及资助金额
1.对于成功申报国家产业创新中心的，给予不超过1:1的资金配套，本市配套资金和国家资助资金合计不超过项目总投资的50%，国家专项计划另有规定的，从其规定。项目资助金额按照国家资金拨付进度分阶段拨付。
2.对于建设符合我市产业布局的IC设计流片平台、检测认证中心、中试验证平台等产业支撑平台的项目，专家评审综合评分60分以上的进入现场核查阶段，通过专家评审、现场核查后，市发展改革委予以批复立项。项目单位须先自行投入资金组织实施项目，待项目通过验收后，按经审计核定的平台实际建设投资（不含土建工程部分）的20%给予资助，单个平台累计不超过3000万元。该项目采取事后一次性资助方式。
（四）申报要求
1.须满足申报通知明确的申报基本条件，详见申报通知。
2.项目单位应拥有专业化的技术及管理团队，财务制度健全，具有较高水平的研发成果和技术储备，经营管理状况良好。
3.项目单位须具有相应的基础条件，已有技术服务团队总人数不少于50人，其中专职研发或技术服务人员不少于45人，相关研发、检测及技术服务设备原值不少于3亿元，相关技术服务场地面积不少于3000平方米，能为产业关键技术和设备的研究、开发、成果转化等提供支撑和保障。
4.对于申报国家产业创新中心资金配套的，需获得国家发展改革委批复同意立项，且国家产业创新中心的建设期截止日期不早于2026年6月30日。
（五）申报材料
1.资金申请报告（附件1-1、附件1-4；申报国家产业创新中心项目配套补助的，提供报送国家发展改革委最终版资金申请报告）。
2.对于申报国家产业创新中心资金配套的项目，需提供国家发展改革委的批复文件。
3.对于建设IC设计流片平台、检测认证中心、中试验证平台的项目，需提供对外开放并用于公共服务的相关证明材料。
五、国家项目配套扶持计划
（一）政策依据
《深圳市关于促进半导体与集成电路产业高质量发展的若干措施》（深发改规〔2025〕9号）第十条。
（二）扶持方向
支持有关单位承担国家发展改革委开展的半导体与集成电路领域重大项目、重大技术攻关计划和重点研发计划。
（三）扶持方式及资助金额
对于承担国家发展改革委开展的集成电路领域重大项目、重大技术攻关计划和重点研发计划的单位，给予不超过1:1的资金配套，本市配套资金和国家资助资金合计不超过项目总投资的50%，国家专项计划另有规定的，从其规定。项目资助金额按照国家资金拨付进度分阶段拨付。
（四）申报要求
1.须满足申报通知明确的申报基本条件，详见申报通知。
2.项目单位应拥有专业化的技术及管理团队，财务制度健全，具有较高水平的研发成果和技术储备，经营管理状况良好。
3.申报项目已获得国家发展改革委批复同意立项，且项目的建设期截止日期不早于2026年6月30日。
（五）申报材料
1.资金申请报告（提供报送国家发展改革委最终版资金申请报告）。
2.国家发展改革委的批复文件。