首批武汉市科技重大专项“卡脖子”技术攻关项目榜单

为贯彻落实市委十三届十次全会关于全力推进科技创新中心建设，实施关键核心技术攻关，实行“揭榜挂帅”制度要求，着力攻克制约我市重点产业发展的“卡脖子”技术，自2021年起，市科技局启动实施武汉市科技重大专项。
根据《武汉市科技重大专项实施方案（试行）》，按照成熟一个、启动一个的原则，围绕我市重点产业发展，经产业部门推荐、专家论证等程序，研究制定了“高速光通信用半导体激光器芯片核心技术攻关及产业化研究”等首批5个“卡脖子”技术攻关项目榜单，现予发布。有关事项通知如下。
一、项目榜单
（一）《高速光通信用半导体激光器芯片核心技术攻关及产业化研究》榜单（见附件1）
（二） 《12英寸RF-SOI芯片关键制造工艺技术》榜单（见附件2）
（三）《100kW超高功率光纤激光器关键技术》榜单（见附件3）
（四）《抗体与分子酶关键技术及产品研发》榜单（见附件4）
（五）《基因治疗关键技术攻关及产品研发》榜单（见附件5）
二、揭榜要求
（一）牵头揭榜单位应为在武汉市行政区域内注册，具有独立法人资格的企业。高等学校、科研院所、企业等均可作为合作单位参与揭榜。
（二）牵头揭榜单位应为行业龙头骨干企业，主营业务与榜单研究内容所属领域一致，具备良好科研基础、研发能力和组织能力，有大型科研项目联合攻关组织管理经验，且上年度研发费用超过3000万元。
（三）每个项目榜单应整体揭榜，覆盖榜单所有研究内容及考核指标。项目可根据需要自行设置子课题。
（四）所有参与揭榜单位签署联合揭榜协议，明确合作各方的合作方式、任务分工、经费投入及分配、收益分配、知识产权权属、协议签署时间等事项。
（五）本批5个榜单牵头揭榜单位与合作单位的配套经费总额与市科技研发资金比例不低于2:1。市科技研发资金拨付至武汉以外合作单位的比例原则上不超过25%。揭榜单位应实事求是、科学合理编制经费预算。鼓励揭榜单位开发科研助理岗位吸纳高校毕业生，对科研助理的劳务性报酬和社会保险补助等支出据实列支。市科技研发资金资助经费低于申请经费时，总经费不足部分由揭榜单位自筹。
（六）项目负责人应为牵头揭榜单位正式职工（以社保关系为准）或企业主要负责人（仅包括董事长、执行董事和总经理），1961年1月1日(院士可放宽至1956年1月1日)以后出生。
（七）项目负责人须在相关技术领域具有较高的科研水平，具有组织协调管理大型科研项目的能力，在项目中承担实质性任务，每年用于项目的工作时间不少于6个月。
（八）牵头揭榜单位、合作单位以及项目团队成员诚信状况良好，没有在惩戒执行期内的科研严重失信行为记录和相关社会领域信用“黑名单”记录。
（九）项目开始时间为2021年8月，项目实施周期原则上不超过三年。
（十）申报项目不得含有涉密内容，如有涉密内容应按有关规定进行脱密处理。
（十一）承担省、市科技计划项目且逾期未验收的单位不得参与揭榜(合作单位为高校的，限制到二级院系)。未验收的市科技计划项目负责人不得作为本次揭榜的项目或课题负责人。
（十二）项目申报内容须真实可信，不得夸大自身实力与技术、经济指标。揭榜单位对揭榜材料的真实性负责。
（十三）项目涉及到实验动物和动物实验、人体实验、组织或细胞实验等相关内容的，必须严格遵守国家有关法律、法规、技术标准及有关规定，尊重生命伦理准则。
（十四）参与项目榜单编制的专家，不得参与揭榜。
除符合上述揭榜要求外，还须符合各项目榜单中的具体要求。
三、资助方式
市科技研发资金拨付至牵头揭榜单位，由牵头揭榜单位拨付至合作单位。
项目采取“里程碑”方式进行资助，揭榜书中需设置项目中期“里程碑”阶段性考核目标，考核目标包括技术方案和初步研究成果等。考核目标和考核时间在项目任务书中明确。项目立项后，拨付资助金额的30%；按考核时间组织专家考核，对通过“里程碑”考核的，拨付资助金额的50%；项目验收通过后拨付剩余经费。对未通过“里程碑”考核的，可申请延期考核，延期时间不超过一年，延期考核仍不通过的，项目终止。项目终止或验收不通过的，按市科技研发资金和项目管理相关规定办理。
四、揭榜材料
（一）武汉市科技重大专项“卡脖子”技术攻关项目揭榜书（见附件6）。
（二）牵头揭榜单位和所有合作单位自行登录“信用中国”网站(https://www.creditchina.gov.cn/)“信用信息”查询模块，输入单位名称进行查询生成的信用信息报告（信用信息报告生成日期需在项目提交前15日内）。
（三）牵头揭榜单位2020年财务审计报告，近三年完税清单；牵头揭榜单位和所有合作单位近三年资产负债表、损益表、现金流量表。
（四）牵头揭榜单位上年度研发费用相关材料（如：享受企业研发费加计扣除政策税收优惠确认单，能够证明研发费用支出的财务报告、审计报告等，提供以上材料任一项均可）。
（五）与项目相关的专利证书、著作权证书、临床批件、新药证书、奖励证书、技术标准等材料（如有，请提供）。
（六）项目负责人身份证复印件，在牵头揭榜单位缴纳社保相关材料。
（七）联合揭榜协议书（加盖所有参与单位公章）。
（八）自筹经费投入的相关材料。
（九）其他揭榜单位认为有必要提供的材料（如有，请提供）。
五、揭榜方式
（一）网上填报
1．登录系统。
2．在线填写。
3．上传材料。
4．提交项目。
（二）揭榜时间
2021年3月29日-5月17日。

《高速光通信用半导体激光器芯片核心技术攻关及产业化研究》榜单

一、研究内容
开展25Gb/s直接调制分布式反馈激光器（DFB）芯片结构设计、芯片外延生长技术、工艺制作技术、可靠性和产业化等研究，构建技术研究、可靠性验证及规模化生产等平台，形成从芯片设计、核心工艺开发到规模化制造的全系列技术产业化能力。开展56Gb/s电吸收调制激光器（EML）芯片结构设计、芯片外延生长技术、高性能镀膜工艺技术、芯片单片集成工艺技术、芯片后端工艺技术、可靠性和产业化等研究，构建集成芯片设计、工艺制造技术、可靠性验证等平台，实现规模化生产。
二、考核指标
1、25Gb/s DFB 芯片：工作波长：1270nm~1370nm；工作温度范围：-40℃~85℃；可靠性：箱温85℃进行1000小时老化试验，光功率下降小于1dB；斜率效率(SE)：≥0.25mW/mA@25℃；全温范围内小信号调制带宽：＞18GHz；输出光功率：≥10mW；发明专利：申请/授权不少于5项；成品率：50%；产能：300万只/年；出货量：300万只。
2、56Gb/s EML 芯片：工作波长：1270nm~1330nm；小信号调制带宽：＞40GHz；输出光功率：＞2mW；阈值电流：＜20mA；消光比：＞7dB；发明专利：申请/授权不少于5项；成品率：40%；产能：40万只/年；出货量：20万只。
三、榜单金额
市科技研发资金最高3000万元，揭榜单位配套经费与市科技研发资金比例不低于2:1。


《12英寸RF-SOI芯片关键制造工艺技术》榜单
一、研究内容
开发实现55纳米工艺的MOS器件及无源元器件；研究低成本、低损耗的互联电路，开发实现高增益低噪声放大器、低插入损耗射频开关；研究通孔垂直互连技术，开发多层集成硅片工艺平台；开展高良率及可靠性研究。借助电磁场仿真工具，结合实际器件参数进行校正，优化现有无源器件的性能，开发一整套供芯片设计使用的后道工艺参数文件，实现仿真数据和实测结果的高度匹配；研究射频电感、电容、电阻、变压器等无源器件及MOS管、三极管等有源器件的S参数测量方法；开发完整的PDK设计包。
二、考核指标
1、开发出55纳米的全套工艺技术包，其中关键器件包括1.2V NMOS，1.2V PMOS，2.5V NMOS，2.5V PMOS，RFLDMOS，Inductor，MIM Capacitor，Resistor，支持最低1.1V工作电压和高达160GHz的截止频率；器件性能达标率达到90%；RF-SOI芯片器件开关参数Ron×Coff≤110fs @ BVD＞4V，MIM电容密度达到1.5fF/μm2，电感品质因子达到15，多晶硅方块电阻达到2000 欧姆；申请不少于15项发明专利（授权不少于2项）；具备量产能力。
2、完成基于RF-SOI芯片系统架构的热力学结构模拟仿真，实现电感值L和品质因子Q等参数的计算机仿真，仿真结果与芯片实测结果的差异小于10%；完成基于S参数测量设备的电感、电阻、电容等器件散射特性测量任务，测试结果满足与标准网络分析仪产品的测量结果误差小于3dB；形成完整的PDK设计包；申请不少于5项发明专利（授权不少于1项）。
三、榜单金额
市科技研发资金最高3000万元，揭榜单位配套经费与市科技研发资金比例不低于2:1。

《100kW超高功率光纤激光器关键技术》榜单

一、研究内容
研制100kW光纤激光器用有源特种光纤，实现大芯径三包层掺镱有源光纤的制备；开发35W高效率半导体激光芯片，基于该芯片研制500W高亮度泵浦源；研制与100kW超高功率光纤激光器配套的系列核心器件，包括光纤功率合束器、光纤信号/泵浦耦合器、光纤激光传输系统、激光光闸；研制高功率单模块6kW连续光纤激光器，并通过光纤合束，进一步研制100kW高功率连续光纤激光器；集成研制100kW光纤激光多功能分光机器人工作站以及分光状态配套使用的高功率激光焊接头、熔覆头，实现分光工作，开展激光焊接、激光复合焊接、激光熔覆、激光淬火等工艺研究。
二、考核指标
1、研制出100kW光纤激光器用有源特种光纤。纤芯直径：45±5μm；纤芯数值孔径（NA）：0.07±0.01；内包层直径：600±60μm；外包层直径：700±100μm；吸收系数0.8±0.2dB/m@915nm。发明专利：申请/授权不少于4项。
2、研制出高功率半导体激光芯片和泵浦源。半导体激光芯片：功率≥35W；光电转换效率≥60%@35W；中心波长：976±3nm；偏振度≥95%。泵浦源：输出功率≥500W；中心波长：976±3nm；光谱宽度（FWHM）≤4nm；芯径：200±10μm；光纤数值孔径（NA）≤0.22。发明专利：申请/授权不少于6项。
3、研制出100kW高功率光纤激光器核心器件。光纤功率合束器：总承受功率＞100kW，合束效率>98%。光纤信号/泵浦耦合器：总承受功率＞10kW，泵浦光耦合效率>95%，信号光损耗<0.2dB。光纤激光传输系统：总承受功率＞100kW，激光传输损耗＜0.15dB，光纤长度＞20m。激光光闸：总承受功率＞100kW，具备分光功能且两路以上输出，传输效率＞95%。发明专利：申请/授权不少于6项。
4、研制出100kW超高功率光纤激光器。输出平均功率＞100kW，激光功率稳定性：±5%（满功率条件下）；中心波长：1080±10nm；光束质量：BPP＜20mm×mrad；输出光纤芯径：≤400μm。具备100kW超高功率光纤激光器量产能力。发明专利：申请/授权不少于3项。
5、研制出100kW光纤激光多功能分光机器人工作站。100kW光纤激光具备整体及分光工作能力；激光焊接头承受功率＞30kW；在造船、汽车、钢铁、航空航天等行业实现2个以上高端制造领域的示范应用。发明专利：申请/授权不少于5项。
三、榜单金额
市科技研发资金最高3000万元，揭榜单位配套经费与市科技研发资金比例不低于2:1。

《抗体与分子酶关键技术及产品研发》榜单

一、研究内容
聚焦抗体和分子酶关键技术，在重组兔单抗技术、高通量纳米抗体筛选技术、高敏定向标记技术、大动物抗体筛选等方面实现技术迭代升级和突破，完成2000种抗体开发，包括病理诊断、流式检测、化学发光、快速检测用抗体及治疗性抗体等；突破聚合酶类和限制性内切酶类的高效突变、重组技术、规模化筛选技术等，完成100种分子酶开发，包括Taq酶进化库、保真酶进化库、热启动酶封闭抗体库、高特异性内切酶和逆转录酶库等。
二、考核指标
1、建立新一代重组兔单克隆抗体技术平台，完成迭代抗体技术升级；研发针对1000种以上关键靶标的诊断与治疗性重组兔抗体类产品，其中200种抗体的技术参数达到或超过同靶标鼠单抗，项目转化的产品需获得20家以上客户的认可。
2、构建大容量、多样性的人工纳米抗体文库，其多样性不低于1013cfu/mL；对不少于50种纳米抗体进行不同类型的标记与改造，制备满足科研实验需求的纳米抗体产品；针对5个以上重大疾病诊断标志物做为抗原靶点，筛选100种特异性纳米抗体，获得不少于10个高亲和力的纳米抗体；制定纳米抗体体外诊断（IVD）产品质量标准体系。
3、研发2种以上新型抗体标记技术，实现工业化生产应用；实现2种以上抗体标记原材料的国产化替代；完成1000种标记类抗体产品的研发，产品需获得20家以上客户的认可。
4、建立新一代模式大动物抗体技术平台，实现关键抗体技术的产业化；成功制备100种以上的候选治疗性抗体；建立1个以上治疗性抗体评价的大动物疾病模型。
5、建立高效的突变技术和筛选技术体系，提高逆转录酶工作温度、实现工作条件与扩增酶类的趋同，提升扩增酶的扩增能力、耐受抑制物能力及扩增特异性，提升限制性内切酶类的特异性和酶活性，技术参数达到国际同类酶的先进水平；获得技术参数达到国际同类酶先进水平的突变株总数不低于30个，完成100种分子酶类产品开发，项目转化的产品需获得20家以上客户的认可。
6、抗体类核心技术申请发明专利18项以上，完成3项以上专利转化；分子酶类核心技术申请发明专利3项以上，完成1项以上专利转化。
三、榜单金额
市科技研发资金最高1500万元，揭榜单位配套经费与市科技研发资金比例不低于2:1。

《基因治疗关键技术攻关及产品研发》榜单
一、研究内容
针对肿瘤、遗传病等难治性疾病的基因治疗，在体细胞转基因技术、基因编辑技术等方面取得创新性突破，开发基因治疗及伴随诊断的技术与产品，探索基因治疗安全性及风险性解决方案。
二、考核指标
开发1-2个针对肿瘤、遗传性疾病基因治疗相关的新靶点，实现1-2项基因治疗技术的原创性突破；完成1-2项基因治疗创新性产品的中试生产、临床前有效性研究和GLP动物安评实验，完成国家药物临床试验(IND)申请受理；开发2-3个伴随基因治疗的诊断产品，完成医疗器械产品注册申请；完成8-10项核心技术发明专利申请。
三、榜单金额
市科技研发资金最高3000万元，揭榜单位配套经费与市科技研发资金比例不低于2:1。